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Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://hdl.handle.net/20.500.12177/1918
Titre: Composés II-VI Sérigraphies : Préparation et caractérisation de CdS et CdTe
Auteur(s): Ka, Oumar
Directeur(s): Cohen-Solal., G. D.
Mots-clés: Complexe isoélectronique
Semi-conducteurs II-VI
Luminescence
Sérigraphie
Caractérisation morphologique
Caractérisation électrique
Date de publication: 16-fév-1988
Editeur: Université Paris 6
Résumé: Le dépôt de couches par sérigraphie est d’un intérêt certain pour la fabrication de photopiles solaires du fait de son faible coût. Ce travail est consacré à l'étude des propriétés fondamentales de couches de CdTe et de CdS ainsi déposées. La sérigraphie se fait en trois étapes le dépôt de la pâte contenant le semi-conducteur désiré, une opération de séchage et, ensuite, un frittage à haute température Les couches obtenues présentent les phases habituelles : cubique pour le CdTe et hexagonale pour le CdS. La rugosité de surface est importante. Les fronts d'absorption observés correspondent aux valeurs usuelles. Du point de vue des propriétés de transport, le comportement des couches est régi par le modèle à deux phases de Volger, pour les matériaux polycristallins. En spectroscopie de luminescence. nous avons observé un mode de vibration que nous attribuons à un complexe isoélectronigue entre l lacune de cadmium doublement ionisée et 2 atomes de chlore substitués en site tellure. Ce complexe étant dans une matrice de CdTe, on observe également un couplage avec le phonon Lo de ce dernier. Sa formation permet d’expliquer la présence de deux des trois pics supplémentaires observés par rapport au spectre de luminescence habituel du CdTe.
Pagination / Nombre de pages: 143
URI/URL: https://dicames.online/jspui/handle/20.500.12177/1918
Collection(s) :Mémoires soutenus

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